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工业陶瓷及相关术语(2)

时间：2014-04-17 16:28:00 来源：龙泉青瓷网（老版本）作者：佚名

　4.1 氧化物陶瓷
　　 4.1.1 氧化铝陶瓷
　　 alumina ceramics 一般指用75%以上Al2O3含量制成的陶瓷材料。Al2O3：熔点2 050℃、晶形有α-、γ-、η-等，陶瓷的主晶相为α-Al2O3，属六方晶系、矿物名称为刚玉。它具有优良的电绝缘性、耐化学腐蚀性、耐磨性和耐热性等。
　　 4.1.2 钠β-氧化铝陶瓷
　　 Na-β-alumina ceramics 主晶相为Na-β-Al2O3的陶瓷，化学式为Na2O・(6－11)Al2O3，属六方晶系层状结构，由致密的尖晶石型铝氧层和较松散的钠氧层交叠堆积而成。具有离子导电性，可用作钠硫电池隔膜等。 4.1.3 氧化铍陶瓷
　　 beryllia ceramics 以氧化铍为主晶相的陶瓷，具有与金属铝相近的高导热性。BeO：熔点2570℃，属六方晶系。粉末和蒸气有较大的毒性，因此生产过程中，必须采取严密的防护措施。
　　 4.1.4 氧化镁陶瓷
　　 magnesia ceramics 以氧化镁为主要成分的陶瓷，其主晶相方镁石，属立方晶系，氯化钠结构类型，熔点2 800℃。它具有耐高温特性，但热膨胀系数较大、热稳定性差、耐水性差、高温下有挥发性、可制成熔炼高纯铁的坩埚和热电偶保护管等。
　　 4.1.5 石英陶瓷
　　 silica ceramics 以石英玻璃为主要原料，用陶瓷工艺制成的以氧化硅为主要成分的陶瓷材料。它具有较低的热膨胀系数等特点，可制成石英陶瓷辊等。
　　 4.1.6 氧化锡陶瓷
　　 tin oxide ceramics 以二氧化锡为主要成分的陶瓷材料。一般SnO2含量＞93%，主晶相为锡石，有一定的导电性。
　　 4.1.7 莫来石陶瓷
　　 mullite ceramics 以莫来石（3Al2O3・2SiO2）为主晶相的陶瓷材料。莫来石：熔点1 850℃，共价键性高。高纯莫来石的抗高温蠕变性能优异，可作为耐热材料使用。
　　 4.1.8 堇青石陶瓷
　　 cordierite ceramics 以堇青石（2MgO・2Al2O3・5SiO2）为主晶相的陶瓷材料。堇青石具有六方晶系的α-型、斜方晶系的β-型以及μ-型等。因其热膨胀系数非常小、耐热冲击性优异，可作为汽车尾气净化器中的催化载体使用。
　　 4.1.9 氧化铀陶瓷
　　 uranium oxide ceramics 以氧化铀为主要成分制成的陶瓷材料，UO2：熔点＞2 800℃。一般用作核反应堆中核燃料。
　　 4.1.10 锆英石陶瓷
　　 zircon ceramics 以锆英石为主晶相的陶瓷材料。ZrSiO4：熔点2 450℃。具有良好的机械强度和抗热震性、耐酸性高、耐碱性不佳。
　　 4.1.11 钛酸铝陶瓷
　　 aluminium titanate ceramics 以钛酸铝为主晶相的陶瓷材料。Al2O3・TiO2：属斜方晶系，熔点1 860℃±10℃。可采用Al2O3与TiO2，按一定比例高温烧结而成。钛酸铝晶体在750～1 300℃下易分解为刚玉和金红石，因此制备时必须添加稳定剂如MgO，SiO2等。它具有极低的热膨胀系数，可制成各种热交换器件等。
　　 4.1.12 镁铝尖晶石陶瓷
　　 magnesium-aluminium spinel ceramics 以MgAl2O3为主晶相的陶瓷材料。一般先将MgO和Al2O3按比例合成后，再粉碎并加入少量粘土等添加剂，在1 360℃左右烧成。化学稳定性良好，属介电常数稍高的介电陶瓷。
　　 4.1.13 铬酸镧陶瓷
　　 lanthanum chramate ceramics 以人工合成的LaCrO3为主晶相的陶瓷材料。LaCrO3：熔点＞2 450℃，经常掺加Sr等元素以改善烧结性，提高硬度、强度和抗热震性，具有较好的电子电导性，可作为高温发热元件等。
　　 4.1.14 氧化钍陶瓷
　　 thoria ceramics 以ThO2为主晶相的陶瓷材料，ThO2：属立方晶系，萤石型结构，熔点3 050℃±20℃，有放射性。高温下具有导电性，可作为加热元件、探照灯光源和核燃料等。
　　 4.1.15 氧化铈陶瓷
　　 ceria ceramics 以CeO2为主晶相的陶瓷材料。CeO2：属立方晶系，萤石型结构，熔点2 600℃。具有高温导电性，可作为发热元件、坩埚和热电偶保护管等，但因它对气氛敏感性强、热稳定性差、限制了它的应用。
　　 4.2 氧化锆及其增韧陶瓷
　　 4.2.1 氧化锆陶瓷
　　 zirconia ceramics 　　以ZrO2为主晶相的陶瓷材料。ZrO2熔点2677℃，具有单斜、四方和立方三种晶形，其相变温度分别为1100℃及2370℃。四方晶系向单斜晶系转变时伴随有明显的体积膨胀，因此烧成后，在冷却过程中，会产生微裂纹，一般均需使用CaO、MgO、Y2O3等作稳定剂制成稳定ZrO2或部分稳定氧化锆（PSZ）。
　　 4.2.2　部分稳定氧化锆　
　　 partially stabilized zirconia 　　常用PSZ表示，只加入少量稳定剂，足以保持一定量的四方晶相的氧化锆材料。烧成后，具有立方、四方和单斜氧化锆相组成，它具有很高的强度和韧性。
　　 4.2.3 四方氧化锆多晶体　
　　 tetragonal zirconia polycrystal 　　简称TZP。由细小的四方氧化锆晶粒为主构成的ZrO2材料，高温下具有超塑性，常温下有很高的强度和韧性。
　　 4.2.4 氧化锆相变增韧陶瓷　
　　 zirconia phase transformation toughening ceramics 　　利用氧化锆发生四方相向单斜相马氏体相变效应，以提高韧性的陶瓷。
　　 4.2.5　氧化锆增韧氮化硅　
　　 zirconia toughened silicon nitride 　　利用ZrO2的相变产生的体积变化和形态变化等效应，加入到Si3N4陶瓷中以改善其断裂韧性和强度的氮化硅陶瓷材料。可用ZTS表示。
　　 4.2.6　氧化锆增韧莫来石　
　　 zirconia toughened mullite 　　利用ZrO2相变伴随产生的体积变化和形态变化等效应，加入到莫来石陶瓷中，以改善其强度和韧性的莫来石陶瓷材料。可用ZTM表示。
　　 4.2.7　氧化锆增韧氧化铝　
　　 zirconia toughened alumina 　　利用ZrO2相变伴随产生的体积变化和形态变化等效应，加入到氧化铝陶瓷中，以改善其强度和韧性的氧化铝陶瓷材料。可用ZTA表示。
　　 4.3　碳及碳化物陶瓷
　　 4.3.1　碳
　　 carbon 　　元素符号为C。作为天然单体存在有金刚石和石墨两种同质异晶体，人工合成的有通过有机化合物的热分解生成的焦炭、炭黑。碳制品除金刚石、石墨外，还有玻璃碳、气相分解碳、碳纤维等。
　　 4.3.2　石墨
　　 graphite 　　碳的同质异晶体之一，具有六方晶系的层状结构，可作为耐热、耐腐蚀、导电材料等。
　　 4.3.3　热解石墨
　　 pyrolytic graphite 　　用碳化氢气体，经热解而沉积有高温基材上的碳。它具有石墨结构、致密排列。可用作核燃料的被覆材料、热屏蔽材料、加热器、冶金用坩埚和生物材料等。
　　 4.3.4　金刚石
　　 diamond 　　是碳的同质异晶体之一。由碳的单一原子致密排列形成的立方晶体，是自然界最硬的，具有折光率大、热传导率高等优异性能的物质。可在高温高压下人工合成或常压下气相合成，主要用作宝石、切削工具、导热基片等。
　　 4.3.5　碳纤维
　　 carbon fiber 　　含碳量大于90%的纤维。根据前驱体纤维种类不同，可分为粘胶基碳纤维、丙烯腈基碳纤维、沥青基碳纤维、木质素碳纤维及其他有机纤维基碳纤维等。
　　 4.3.6　石墨纤维
　　 graphite fiber 　　碳纤维经高温（2500-3000℃）石墨化处理后的纤维。以其模量、强度区分为：高模量、高强度石墨纤维及低模量、低强度石墨纤维等，主要用作金属、塑料及陶瓷的增强材料。
　　 4.3.7　活性碳
　　 active carbon 　　经过预处理后，表面吸附能力很强的碳。通常为粉体状态。
　　 4.3.8　蜂窝活性碳
　　 honeycomb active carbon 　　以蜂窝形状的一类高吸附剂，具有优良的动力学性能，气流阻力小，适合大流量有机废气的吸附物。
　　 4.3.9　碳化硅陶瓷
　　 silicon carbide ceramics 　　以SiC为主晶相的陶瓷材料。SiC共价键键性强，具有α型（六方）和β型（六方）二种主要晶形，2830℃分解，SiC陶瓷可用常压、热压、反应烧结、浸硅或重结晶等方法制成。具有高的热导率和良好的耐磨性和半导体性等。可用作发热体、机械密封及高温结构部件等。
　　 4.3.10　碳化钛陶瓷　
　　 titanium carbide ceramics 　　以TiC为主晶相的陶瓷材料。TiC属面心立方晶系，熔点3147℃，硬度8-9，可用热压或自蔓燃法高温制成的，耐磨性优良，可作为切削工具，可以将它制成TiC-Ni-Mo系和WC-TiC-Co系的金属陶瓷
　　 4.3.11　碳化硼陶瓷
　　 boron carbide ceramics 　以B4C为主晶相的陶瓷材料。B4C属六方晶系、熔点2450℃，硬度高，一般可用热压或热等静压法制成致密的碳化硼陶瓷，可用作磨料、切削工具和各种耐磨部件。
　　 4.3.12　碳化钨陶瓷
　　 tangsten carbide ceramics 　　以WC作为主晶相的陶瓷材料。WC属立方晶系，熔点2865℃，莫氏硬度9，可用W与C直接合成、还原化合、气相沉积或自然蔓燃法制成。具有高硬和优异的耐磨性，可作为切削工具材料。
　　 4.3.13　碳化锆陶瓷
　　 zirconium carbide ceramics 　　以碳化锆为主晶相的陶瓷材料。ZrC属立方晶系，熔点3530℃±125℃，莫氏硬度8-9，可直接合成，气相沉积或自蔓燃工艺制成。主要用作各种高温结构材料。
　　 4.3.14　碳化铬陶瓷
　　 chromium carbide ceramics 　以碳化铬为主晶相的陶瓷材料。Cr3C6属立方晶系，Cr3C2属斜方晶系，熔点1890℃，Cr3C6比Cr3C2更硬。可以用等离子喷涂法制成耐高温耐氧化和耐酸的涂层。
　　 4.4　氮化物陶瓷
　　 4.4.1　氮化硅陶瓷
　　 silicon nitride ceramics 　　具有以Si3N4的主晶相的陶瓷材料。Si3N4属共价键化合物，熔点1900℃（升华分解），有αβ二种晶型，均属六方晶系，一般用反应烧结，常压或热压烧结，气压烧结或热等静压烧结工艺制成，主要用于陶瓷轴承，密封元件及高温结构部体等。
　　 4.4.2　赛隆(sialon)陶瓷
　　 sialon ceramics 以(Si・Al)(ON)4四面体为基本结构单元的固溶体陶瓷材料。
　　 4.4.3　α-赛隆陶瓷
　　 α-sialon ceramics 　　以Al-N键和Al-O键取代α-Si3N4中Si-N键，形成的一种固溶体陶瓷材料，化学通式为Men(Si・Al)12・(ON)16 0 n≤2，Me-金属。
　　 4.4.4 β-赛隆陶瓷
　　 β-sialon ceramics β- Si3N4中的N和Si同时被O和Al取代，形成的一种固溶体陶瓷材料，化学通式为Si6-xAlxOxN8-x　。
　　 4.4.5　O'-赛隆陶瓷　
　　 O-'sialon ceramics 在Si-Al-O-N系统中，由Al2O3固溶于Si2N2O中形成的一种固溶体陶瓷材料。
　　 4.4.6　氮化铝陶瓷
　　 aluminium nitride ceramics 　　以氮化铝为主晶相的陶瓷材料。AlN属共价键化合物，熔点2450℃，属六方晶系。一般采用热压和常压烧结法制成。由于它具有较高的导热性可制成各种基片和热交换器件等。
　　 4.4.7　氮化硼陶瓷
　　 boron nitride ceramics 　　以氮化硼为主晶相的陶瓷材料。BN有三种变体：六方、密排六方和立方晶体。六方晶系系常压下稳定相，密排六方和立方体为高压下稳定相。六方BN一般采用掺加一定量的外加剂并在热压条件下制成氮化硼陶瓷，其硬度低具有可加工性，在惰性或氮气中可使用至2500℃，是良好的导热绝缘体，高温高压下制成的立方氮化硼，莫氏硬度低于10，有些性能优于人造金刚石。
　　 4.4.8　立方氮化硼
　　 cubic boron nitride 　　可简写为C－BN。具有金刚石结构，基本性能也酷似金刚石。通常用超高压方法合成，可做为切削和研磨工具用。
　　 4.4.9　热解氮化硼
　　 pyrolytic boron nitride 　　以BCl3等卤化硼和NH3做原料，采用2000℃左右的高温减压CVD工艺，由气相中析出的层状BN成形体。可用作等GaAs半导体化合物熔制坩埚等。
　　 4.4.10　氮化钛陶瓷
　　 titanium nitride ceramics 　　以氮化钛为主晶相的陶瓷材料。TiN熔点2950℃，属立方晶系。可用热压烧结工艺或气相沉积方法制成陶瓷或涂层。由于它具有金色的光泽，有极佳的装饰效果，可替代或节约昂贵的黄金。
　　 4.5　硼化物、硅化物陶瓷
　　 4.5.1　硼化锆陶瓷　
　　 zirconium boride ceramics 　　以硼化锆为主晶相的陶瓷材料。ZrB2属立方晶系，熔点3245℃。可由ZrO2还原而成，还原剂可以是碳或碳化硼等，合成温度约2000-2100℃。它具有优良的耐熔融金属浸蚀性和导电性，可用电火花或其他加工方法制成各种耐磨、耐熔融金属(Fe、Al等)浸蚀部件等。
　　 4.5.2　硼化钛陶瓷
　　 titanium boride ceramics 　　以硼化钛为主晶相的陶瓷材料。TiB2属六方晶系，熔点2980℃。可以用直接自蔓燃合成，还原法或气相沉积法、热等静压法制成，具有导电性和优良的耐温性，主要用作各种高温下耐热结构材料等。
　　 4.5.3　硼化镧陶瓷
　　 lanthanum boride ceramics 　　以硼化镧为主晶相的陶瓷材料。LaB6属立方晶系，熔点2530℃。一般用La2O3和B4C在惰性或还原气氛中、高温下合成，然后再粉碎成型、烧结而成。它具有热电子发射性，其化合物或单晶可作为高精度电子发射体，用于电子显微镜和VLSI电路上。
　　 4.5.4　二硅化钼陶瓷
　　 molybdenum silicide ceramics 　　以二硅化钼为主晶相的陶瓷材料。MoSi2属四方晶系，熔点2030℃。可用Mo与Si粉直接合成或气相沉积而成，可用常压、热压烧结制成陶瓷材料。具有高的导热性、优良的抗氧化性和导电性，可制成耐1800℃高温发热元件和熔制Na、Li、Bi、Pb、Sn的坩埚等。
　　 4.6　气敏陶瓷
　　 4.6.1　半导体式气敏陶瓷
　　 semiconductive gas sensitive ceramics 　　能随着被吸附气体的浓度变化发生相应的电阻变化的半导体陶瓷材料，多为金属氧化物或结型半导体材料，按作用机制可分表面效应型和体效应型。按结构可分为烧结型，厚膜型。
　　 4.6.2　接触燃烧式气敏陶瓷
　　 fuel contactive gas sensitive ceremics 　　通过接触使燃烧气体吸附于材料中产生电信号的气敏陶瓷。多采用铂金丝作为母线，表面用陶瓷涂层，催化剂、晶粒生产抑制剂等制成。
　　 4.6.3　固体电解质型气敏陶瓷
　　 solid electrolyte gas sensitive ceramics 　　通过固体电解质中离子的快速迁移而形成气敏效应的气敏陶瓷。如ZrO2陶瓷等。
　　 4.6.4　SnO2气敏陶瓷
　　 SnO2 gas sensitive ceramics 　　以SnO2为主晶相的表面电阻控制型的气敏陶瓷。其灵敏度高，可靠性好。
　　 4.6.5　Fe2O3气敏陶瓷
　　 Fe2O3 gas sensitive ceramics 　　以α-Fe2O3为主要晶相的体电阻控制型半导体气敏陶瓷，可不用贵金属作催化剂，而且高温热稳定性好。
　　 4.6.6　ZnO气敏陶瓷
　　 ZnO gas sensitive ceramics 　　以ZnO为主要晶体的，n型半导体气敏陶瓷，其气体选择性强。
　　 4.6.7　ZrO2氧敏陶瓷
　　 ZrO2 ceramic oxygen sensor 　　利用ZrO2中Zr4+离子在不同氧分压下的变化特性引起缺陷反应，导致材料电阻率随氧分压而变化所制备的氧敏陶瓷材料。
　　 4.6.8　TiO2氧敏陶瓷
　　 TiO2 ceramic oxygen sensor 　　利用TiO2中Ti4+离子在不同氧分压下的变化特性引起缺陷反应，导致材料电阻率随氧分压而变化特性制备的氧敏陶瓷材料。
　　 4.6.9　氧敏传感器
　　 oxygen sensitive transducer 　　利用在不同氧分压下电压相应变化的氧敏陶瓷材料制备的器件。
　　 4.6.10　厚膜型湿敏陶瓷
　　 thick film humidity sensitive ceramics 　　采用厚膜涂覆工艺在氧化物基片上制备的将湿度变化转换为电信号的半导体敏感陶瓷材料。
　　 4.6.11　薄膜型湿敏陶瓷　
　　 thin film humidity sensitive ceramics 　　在氧化物基片上用Si、Ge、Se、C等材料经薄膜半导体工艺制备的电阻率随湿度变化的敏感陶瓷材料。
　　 4.6.12　MgCr2O4-TiO2湿敏瓷
　　 MgCr2O4-TiO2 system humidity sensitive ceramics 　　以MgCr2O4-TiO2体系制成的，尖晶石型多孔半导体湿敏陶瓷材料。其灵敏度很高，稳定性好。
　　 4.6.13　TiO2-SnO2半导体敏感瓷
　　 TiO2-SnO2 system semi-conductor ceramics 　　以TiO2-SnO2体系制成的，多孔半导体湿敏陶瓷材料。
　　 4.6.14　ZnO-Li2O-V2O5敏感瓷
　　 ZnO-Li2O-V2O5 system sensitive ceramics 　　以ZnO-Li2O-V2O5体系制成的，多孔半导体湿敏陶瓷材料。
　　 4.6.15　SrTiO3-BaTiO3敏感瓷
　　 SrTiO3-BaTiO3 system sensitive ceramics 　　以SrTiO3-BaTiO3体系制成的，半导体湿敏陶瓷材料。
　　 4.7　多孔陶瓷
　　 4.7.1　刚玉质多孔陶瓷　
　　 corundum porous ceramics 　　以α-Al2O3为主晶相（骨料）的多孔陶瓷材料，具有耐酸碱、耐高温等特性，常作为过滤介质使用。
　　 4.7.2　石英质多孔陶瓷
　　 silicon porous ceramics 　　以石英为主晶相（骨料）的多孔陶瓷材料，具有良好的耐酸性，常作为过滤介质使用。
　　 4.7.3　硅藻土质多孔陶瓷
　　 diatomaceous porous ceramics 　　以硅藻土为主原料，利用其多孔性能制备的多孔陶瓷材料，其气孔率很高，常用和过滤和吸附材料。
　　 4.7.4　碳化硅质多孔陶瓷
　　 silicon carbide porous ceramics 　　以碳化硅为主晶相的多孔陶瓷。其耐温性优异，热稳定性能好，可用于高温烟气过滤等。
　　 4.7.5　矾土质多孔陶瓷
　　 bauxite porous ceramics 　　用铝矾土为主要原料制备的高氧化铝含量的多孔材料，其主晶相为铝硅酸盐。
　　 4.7.6　堇青石质蜂窝陶瓷
　　 cordierite honeycomb ceramics 　　以堇青石为主晶相制成的蜂窝状陶瓷材料，由于其热膨胀系数小，常被用作汽车尾气净化器催化剂载体及陶瓷换热器等。
　　 4.7.7　钛酸铝质蜂窝陶瓷
　　 aluminium titanate honeycomb ceramics 　　以钛酸铝为主晶相制成的蜂窝状陶瓷材料，具有优异的抗热震性，常被用作热交换器材料。
　　 4.7.8　锂辉石质蜂窝陶瓷　
　　 spodumene honeycomb ceramics 　　以锂辉石为主晶相制成的蜂窝状陶瓷材料，热膨胀系数低，常被用于热交换器等。
　　 4.7.9　SiC质蜂窝陶瓷
　　 SiC honeycomb ceramics 　　以SiC为主晶相制成的蜂窝状陶瓷材料，可用作发热元件和热交换器材料以及催化剂载体等。
　　 4.7.10　PTC质蜂窝陶瓷
　　 PTC honeycomb ceramics 　　由PTC材料制成的蜂窝状陶瓷材料，可用于可控温的加热器件等。
　　 4.7.11　高铝质泡沫陶瓷
　　 high alumina foam ceramics 由铝矾土等高氧化铝含量原料制成的泡沫状陶瓷材料，常用于有色金属熔体的过滤等。
　　 4.7.12　ZrO2质泡沫陶瓷
　　 ZrO2 foam ceramics 　　以部分稳定ZrO2为主要晶相的泡沫陶瓷材料，具有高强度、耐热冲击等特性，可用于钢水过滤等。
　　 4.7.13 莫来石-堇青石质泡沫陶瓷
　　 mullite cordierite foam ceramics 　　以莫来石-堇青石为主晶相的泡沫陶瓷材料，其热稳定性较好，适合于有色金属熔体的过滤等。
　　 4.7.14　SiC质泡沫陶瓷
　　 SiC foam ceramics 　　以SiC为主要成分的泡沫陶瓷材料，其使用温度较高，可以用于铁水的过滤等。
　　 4.7.15　多孔功能陶瓷
　　 functional porous ceramics 　　具有特种物理或化学功能的多孔陶瓷材料，如多孔敏感陶瓷、多孔吸附陶瓷等。
　　 4.7.16　卷绕滚压波纹陶瓷
　　 winding roller forming with corrugated sheet ceramics 　　采用某种工艺制备的薄片状陶瓷坯体经滚压成波纹状，再进行卷绕以制成多孔卷绕体而烧结制备的陶瓷材料，可用作热交换器及化工填料等。
　　 4.7.17　固定式滚压波纹陶瓷
　　 stationary roller forming with corrugated sheet ceramics 　　采用某种工艺制备的薄片状陶瓷坯体经滚压成波纹状再与平片状陶瓷坯通过波纹凸起处粘连于一体而烧结制备的陶瓷材料。
　　 4.7.18　连续式微孔梯度陶瓷
　　 continuous gradient microporous ceramics 　　平均孔径在某一方向上是连续梯度式变化的微孔陶瓷材料。
　　 4.7.19　阶梯式微孔梯度陶瓷
　　 discontinuous graded microporous ceramics 　　平均孔径在某一方向上呈阶梯式梯度变化的微孔陶瓷材料。
　　 4.7.20　有膜层微孔梯度陶瓷
　　 gradient microporous ceramics with film layer 　　在孔径小的一面具有气孔明显小的膜层微孔梯度陶瓷材料。
　　 4.7.21　支撑体
　　 supporter 　　具有较大气孔，用于支撑微孔陶瓷膜层的多孔陶瓷体。
　　 4.7.22　支撑体膜
　　 microporous film with supporter 　　在多孔陶瓷体上附着的微孔陶瓷膜层。
　　 4.7.23　无支撑体膜
　　 microporous film without supporter 　　整体材料气孔特性均匀一致的微孔陶瓷膜材料
　　 4.7.24　陶瓷纤维膜微孔梯度陶瓷
　　 gradient microporous ceramics with ceramic fiber film 　　在小孔径一侧具有由纤维状陶瓷材料构成的微孔膜层的微孔梯度陶瓷。
　　 4.7.25　集束型陶瓷膜微孔梯度陶瓷
　　 group gradient microporous ceramics 　　在同一支撑体多孔陶瓷材料上，利用各种工艺制备周壁为微孔梯度陶瓷的多个平行管状通道的陶瓷材料。
　　 4.7.26　陶瓷填料
　　 ceramic filler 　　根据不同应用而具有特定形状，用于化学工程或其他过程的装置中起填充隔离或分布作用的陶瓷材料。
　　 4.7.27　除臭多孔陶瓷体
　　 deodorant porous ceramics 　　用于被覆浸渗或承载具有去除臭味功能的化学制剂或催化剂的多孔陶瓷体。
　　 4.7.28　多孔陶瓷过滤器
　　 porous ceramic filter 　　利用其贯通气孔通道让流态介质通过而进行过滤的多孔陶瓷体组件。
　　 4.8 生物陶瓷
　　 4.8.1　氧化铝单晶生物陶瓷
　　 single-crystal alumina bioceramics 内部结构基本上由同一空间格子贯穿所构成的α-Al2O3晶体材料，可用于人体植入或修复。
　　 4.8.2　氧化铝多晶生物陶瓷　
　　 polycrystal alumina bioceramics 　　通过烧结形成主要以α-Al2O3细小晶粒组成的陶瓷材料，具有强度高、耐磨损、生物惰性的特点。可用于制造人工关节和人工骨。
　　 4.8.3　玻璃碳
　　 glassy carbon 　　通过控制加热预先成型的有机高聚物，使聚合物的挥发组分挥发而留下的一种玻璃状的碳素材料。可用人工心脏瓣膜和人工关节等。
　　 4.8.4　各向同性碳
　　 isotiopic carbons 　　结构和物理化学性质无方向性的碳质材料。
　　 4.8.5　低温各向同性碳
　　 isotropic carbons made in low temperature 　　在低于1500℃热解碳氢化的获得的各向同性碳质材料，又称LTI碳。
　　 4.8.6 生物活性玻璃陶瓷
　　 bioactive glass ceramics 　　组成中含有磷灰石微结晶相，或自身不含磷灰石结晶，但在体内能与组织液发生反应而在表面生成磷灰石层的生物玻璃陶瓷。能促进正常组织在其表面形成并与组织形成连续界面，又称生物活性微晶玻璃。
　　 4.8.7　羟基磷灰石陶瓷
　　 hydroxyapatite ceramics 　　属于生物活性陶瓷材料，以羟基磷灰石[Ca10(PO4)6(OH)2]为主晶相的陶瓷材料，生物相容性优良，常用于制备各种人工骨制品。
　　 4.8.8　磷酸三钙陶瓷
　　 tricalcium phosphate ceramics 　　以磷酸三钙[Ca3(PO4)2]为主晶相的陶瓷材料。可用于制备人工骨制品。
　　 4.8.9　生物降解陶瓷
　　 degradation ceramics 　　能在生物体内发生物理、化学或生物化学变化，逐渐被生物吸收的陶瓷材料。
　　 4.8.10　光纤医用陶瓷
　　 ceramics used with medical light fiber 　　在用于与人体接触的光纤医疗器械中，与光纤配套使用的生物医学陶瓷材料，如Al2O3单晶陶瓷手术刀等。
　　 4.8.11　医疗诊断陶瓷
　　 ceramics for diagnosis 　　在医学信息（包括图像等）检测中使用的各种陶瓷材料。
　　 4.8.12　生物陶瓷涂层
　　 bioceramic coating 　　在基体材料上通过某种工艺技术涂覆、沉积或通过反应使其表面形成一层同质或异质生物陶瓷的薄层。
　　 4.8.13　羟基磷灰石陶瓷涂层
　　 hydroxyapatite ceramic coating 　　采用某种工艺技术在基体材料上涂覆、沉积或反应形成以羟基磷灰石为主晶相的涂层。
　　 4.8.14　生物玻璃陶瓷涂层
　　 bioglass ceramic coating 　　采用热喷涂、涂覆－烧结和涂搪－退火等工艺技术在基体材料上涂加的生物玻璃陶瓷薄层。
　　 4.8.15　氟磷灰石
　　 fluorapatite 　　化学组成为Ca10(PO4)6F2的磷灰石，可做生物陶瓷材料。
　　 4.8.16　含全碳酸根磷灰石
　　 podolite 　　分子式Ca10(PO4)6CO3为的一种磷灰石，可做生物陶瓷材料。
　　 4.8.17　氧磷灰石
　　 oxyapatite 　　分子式为Ca10(PO4)6O的磷灰石，可做生物陶瓷材料。
　　 4.8.18　生物磁性陶瓷
　　 magnetic bioceramics 　　具有磁学特性的医用陶瓷材料，可通过其磁效应诊断和治疗疾病。
　　 4.8.19　生物磁性陶瓷微颗粒
　　 microparticle of magnetic bioceramic 　　具有软磁性的生物陶瓷颗粒，可用于磁滞发热治疗疾病或用于生物技术中的分离和提纯。 4.8.20　生物压电陶瓷
　　 piezoelectric bioceramics 　　具有压电效应的生物陶瓷，可在应力作用下产生电刺激，促使人工骨与人体骨的结合。
　　 4.8.21　骨充填用生物陶瓷
　　 bioceramics for bone filled 　　治疗骨缺损所使用的生物陶瓷人工骨。一般具有骨传导性。
　　 4.8.22　生物陶瓷人工骨
　　 artificial bioceramic bone 　　用生物陶瓷材料制作的骨修复材料。包括人工骨和人工关节。
　　 4.8.23　生物陶瓷人工关节
　　 artificial bioceramic joints 　　整体或重要部分使用生物陶瓷材料的人工关节。
　　 4.8.24　陶瓷齿冠
　　
ceramic teeth crows 　　用陶瓷材料制作的人工齿冠。有氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、微晶玻璃陶瓷、氧化铝材料与高分子材料复合材料等材质。
　　 4.8.25　陶瓷齿根
　　 ceramic teeth roots 　　用陶瓷材料制作的人工齿根。有氧化铝单晶、氧化铝多晶陶瓷及金属表面喷涂羟基磷灰石陶瓷等材质。
　　 4.8.26　生物陶瓷义眼座
　　 ceramic false eye base 　　用生物陶瓷材料制作的人工假眼的基座。
　　 4.8.27　碳质人工心脏瓣膜
　　 artificial carbon cardiac valve 　　采用低温各向同性碳（LTI）、超低温各向同性碳（ULTI）、含硅低温各向同性碳（SLTD）和碳复合材料制造的人工心脏瓣膜。
　　 4.8.28　生物梯度功能材料
　　 functionally gradient biomaterials 　　其组成、物理化学性能和生物学性能从一种材料向另一种材料逐渐发生变化的非均质生物材料。 4.8.29　陶瓷药物载体
　　 ceramic drug delivery carrier 　　用于容纳药物以实现药物缓释或控制缓释的体内植入用多孔陶瓷管、微球或骨架。
　　 4.8.30　抗菌陶瓷
　　 antimicrobial ceramics 　　能抑制或杀死与其表面接触的细菌等微生物的陶瓷材料。
　　 4.8.31　保健陶瓷材料
　　 ceramic materials for health care 　　医疗保健用品或器械中使用的功能陶瓷材料，具有磁性或红外辐射等性能。
　　 4.9　吸附材料
　　 4.9.1　吸附材料　
　　 absorbing materials 　　一类以吸附与特点，能够以物理的或化学的方式有选择性地吸附有机和无机的气相、液相或固相物质的天然或人工合成材料。可分为无机吸附材料、有机吸附材料、碳质吸附材料。
　　 4.9.2　医用吸附剂
　　 medical absorbent 　　在医疗上用于血液灌流、血液透析等的各种吸附材料。
　　 4.9.3　陶瓷吸附材料
　　 ceramic absorbing materials 　　具有吸附功能的陶瓷材料。
　　 4.9.4　沸石
　　 zeolite 　　一种具有吸附功能的天然矿物，化学式以(Na、K)x(Mg、Ca、Sr、Ba)y[Alx+2ySin-(x+2y)O2n]omH2O表示，可用作分子筛。 4.9.5　合成沸石
　　 synthetic zeolite 　　人工合成的沸石矿物，主要用作分子筛。
　　 4.10　催化剂及其载体
　　 4.10.1　惰性载体
　　 inertia carrier 　　与催化剂活性组分不发生任何反应的一类催化剂载体。
　　 4.10.2　相对非活性载体
　　 relatively non-active carrier 　　具有寄生的活性，可以抑制或利用催化剂的载休。
　　 4.10.3　堇青石质催化剂载体
　　 cordierite catalytic carrier 　　主晶相为堇青石的陶瓷催化剂载体。
　　 4.10.4　Al2O3催化剂载体
　　 alumina catalytic carrier 　　以Al2O3陶瓷材料作为催化剂活性物质的分散剂，粘合物或支持物的催化载体材料。
　　 4.10.5　SiO2催化剂载体
　　 silicon dioxide catalytic carrier 　　以SiO2多孔材料作为催化剂活性物质的分散剂、粘合物或支持物的载体材料。
　　 4.10.6　Si3N4催化剂载体
　　 silicon nitride catalytic carrier 　　以陶瓷材料作为催化剂活性物质的分散剂，粘合剂或支持物的载体材料。
　　 4.10.7　SiC催化剂载体
　　 silicon carbide catalytic carrier 　　以SiC陶瓷材料作为催化剂活性物质的分散剂、粘合剂或支持物的载体材料。
　　 4.10.8　粒状载体
　　 granular carrier 　　由单个小颗粒组成的圆柱或球状催化剂载体。
　　 4.10.9　活性Al2O3
　　 active alumina 　　具有吸附性能、催化性能的高比表面积多孔氧化侣。
　　 4.10.10　N-α- Al2O3催化剂
　　 nickel α-alumina catalyst 　　分散、沉积在α- Al2O3陶瓷载体上的Ni金属催化剂。
　　 4.10.11　Ru-TiO2催化剂
　　 rhodium titania catalyst 　　附载于TiO2催化载体上的Ru催化剂。
　　 4.10.12　Pt- Al2O3催化剂
　　 platinum-alumina catalyst 　　附载于Al2O3催化载体上的一种铂催化剂，可用于加氢、脱氢异构化、重整、脱臭、汽车排气处理等。
　　 4.10.13　净化材料
　　 purification material 　　使污染物或有害物质经历催化反应转为无害物质或易于处理和回收利用的材料。
　　 4.10.14　再循环材料
　　 recirculating materials 　　材料与物质使用后，可再循环利用的材料简称。
　　 4.11　纳米陶瓷与复合材料
　　 4.11.1　母相（基体）
　　 matrix 　　复合材料中起到粘接增强体成为整体并传递载荷到增强体的主要组分之一，一般在体积上占优势，并呈连续相分布。
　　 4.11.2　分散相　
　　 dispersed phase 　　以较小的尺度散布在复合材料基体中的第二相。一般呈间断相分布，在材料中起改性作用。
　　 4.11.3　纳米复合陶瓷
　　 nanometer ceramic composites 　　含一种或一种以上纳米尺度的晶粒或薄膜的复合陶瓷材料。如纳米颗粒复合材料等。
　　 4.11.4　纳米SiC(P) /Si3N4复合材料
　　 nanometer SiC(P) /Si3N4 ceramic composites 　　以Si3N4陶瓷为基体，纳米SiC颗粒为增强相的陶瓷基复合材料。
　　 4.11.5　纳米SiC(P) /Al2O3复合材料
　　 nanometer SiC(P) /Al2O3 ceramic composites 　　以Al2O3陶瓷为基体，纳米SiC颗粒为增强相的陶瓷基复合材料。
　　 4.11.6　纳米Si3N4(P) /Al2O3复合材料
　　 nanometer SiN4(P) /Al2O3 ceramic composites 　　以Al2O3陶瓷为基体，纳米Si3N4颗粒为增强相的陶瓷基复合材料。
　　 4.11.7　纳米SiC(P) /MgO复合材料
　　 nanometer SiC(P) /MgO ceramic composites 　　以MgO陶瓷为基体，纳米SiC颗粒为增强相的陶瓷基复合材料。
　　 4.11.8　纳米SiC(P) / Al2O3-Si3N4复合材料
　　 nanometer SiC(P) / Al2O3-Si3N4 ceramic composites 　　以Al2O3-Si3N4复合陶瓷为基体，纳米SiC颗粒为增强相的陶瓷基复合材料。
　　 4.11.9　纳米SiC(P) /Sialon复合材料
　　 nanometer SiC(P) /Sialon ceramic composites 　　以Sialon陶瓷为基体，纳米SiC颗粒为增强相的陶瓷基复合材料。
　　 4.11.10　陶瓷晶须补强陶瓷基复合材料
　　 ceramic whisker reinforced ceramic matrix composites 　　将陶瓷晶须弥散在陶瓷基体内，起增强改善材料性能的复合材料。
　　 4.11.11　陶瓷纤维
　　 ceramic fiber 　　以称特种无机纤维，以各种陶瓷成分为原料，利用各种成纤工艺和热处理工艺制成直径仅为几微米至约一百微米的纤维材料。如碳纤维、硼纤维、氧化铝纤维、碳化硅纤维等。可作为镏金属、塑料和陶瓷基复合材料的增强剂，在宇航、原子能等工业部门有广泛的用途。
　　 4.11.12　陶瓷晶须
　　 ceramic whisker 　　直径只有几个微米或更小，长径比很大，缺陷非常少的纤维状材料。它具有接近陶瓷的理论强度、高模量等优良特性。 4.11.13　连续纤维
　　 continuous ceramic fiber 　　亦称长纤维，一般指纤维长度>100m的陶瓷纤维。
　　 4.11.14　定长纤维
　　 staple ceramic fiber 　　纤维长度介于长短纤维之间的陶瓷纤维，一般纤维长度在50-100mm范围内。
　　 4.11.15　短陶瓷纤维
　　 chopped ceramic fiber 　　一般指长度在3-12mm的陶瓷纤维。
　　 4.11.16　单晶纤维
　　 single crystal fiber 　　直径小于几个微米，长度很大（数十米）的纤维状单晶体。
　　 4.11.17　多晶纤维
　　 multi crystal fiber 　　由多晶陶瓷体构成的纤维。一般由5×10-3~5×10-2μm的小晶粒构成，如Al2O3多晶纤维等。
　　 4.11.18　碳化硅纤维
　　 silicon carbide fiber 　　以Si和C或含硅、碳的化合物为原料，用各种成纤方法和热处理工艺，制成直径为几微米至约一百微米的纤维。主晶相为β-SiC，有优良的高温特性，耐高温抗氧化温度可达1400℃，是目前应用于复合材料中的优选增强纤维之一。
　　 4.11.19　尼龙卡(Nicalon)纤维
　　 Nicalon fiber 　　以聚碳硅烷为原料、经纺丝成纤和热处理工艺、制成以SiC为主，内含少量氧成份的纤维。其耐高温氧化温度为1250℃ 4.11.20　泰伦诺(Tyranno)纤维
　　 Tyranno fiber 　　采用含Ti的聚碳硅烷为原料、经纺丝成纤和热处理工艺，制成以SiC为主，内含少量Ti成分的纤维。其耐高温氧化温度为1300℃。
　　 4.11.21　碳化硼纤维
　　 boron carbide fiber 　　以含硼化合物（如B2O3）纤维为前驱体，在氨和胺气氨中热处理，制成以为B4C主成分的纤维。
　　 4.11.22 莫来石纤维
　　 mullite fiber 　　以铝与硅化合物为原料，用各种成纤工艺和热处理工艺制成以莫来石为主晶相的纤维，一般使用温度可达1350℃。 4.11.23　氧化铝纤维
　　 alumina fiber 　　以含铝的化合物为原料，用各种成纤方法与热处理工艺，制成氧化铝含量大于80%的纤维材料，大多数纤维的主晶相为α-Al2O3（刚玉），个别为α-型或θ-型。
　　 4.11.24　氧化锆纤维
　　 zirconia fiber 　　以含锆的化合物为原料，用各种成纤方法和热处理工艺，制成以氧化锆为主要成分的纤维。大多数纤维的主晶相为四方氧化锆，个别也有立方氧化锆。
　　 4.11.25　石英纤维
　　 silica fiber 　　以含硅的化合物为原料，利用各种成纤方法和热处理工艺制成以氧化硅为主成分的纤维。
　　 4.11.26　硼纤维
　　 boron fiber 以含硼化合物为原料，采用气相沉积工艺，在金属纤维或碳纤维等表面沉积，形成以硼为主成分的纤维，它具有熔点高，模量大，强度高，密度低等特点，被广泛选用作复合材料的增强剂。
　　 4.11.27　硼化钛纤维
　　 titanium boride fiber 　　以含硼化合物、钛化合物为原料，采用气相沉积工艺，在金属纤维表面沉积，形成以TiB2为主要成分的纤维，其弹性模量高于硼纤维和碳化硅纤维。
　　 4.11.28　氮化硅纤维
　　 silicon nitride fiber 　　以含硅和氮的化合物为原料，用各种成纤方法和热处理工艺，制成以氮化硅为主要成分的纤维。
　　 4.11.29　氮锴铝纤维
　　 aluminium nitride fiber 　　以含铝和氮的化合物为原料，用各种成纤方法和热处理工艺，制成以氮化铝为主要成分的纤维。
　　 4.11.30　氮化硼纤维
　　 boron nitride fiber 　　以含硼和氮的化合物为原料，用各种成纤方法和热处理工艺，制成以氮化硼为主要成分的纤维。
　　 4.11.31　碳化硅晶须
　　 silicon carbide whisker 　　以含硅和碳的化合物为原料，采用气相法、液相法或固相法工艺，制备成以碳化硅单晶为主晶相的晶须材料，可分为α- ,β-SiC两种晶须。
　　 4.11.32　碳化硼晶须　
　　 boron carbide whisker 　　以含碳和硼的化合物为原料，经高温气相合成与沉积，制成以碳化硼单晶为主的晶须材料。
　　 4.11.33　石墨晶须
　　 graphite whisker 　　用化学气相沉积工艺制成的碳晶须，再经过3000℃的石墨化处理后的晶须材料。
　　 4.11.34　氮化铝晶须
　　 aluminium nitride whisker 　　以含铝和氮的化合物为原料，经热处理或自放热反应，制成以氮化铝单晶为主的晶须材料。
　　 4.11.35　钛酸钾晶须
　　 potassium titanate whisker 　　以含钾和钛的化合物为原料，经热处理和浸泡工艺后，形成以钛酸钾单晶为主的晶须材料。一般有D型和L型二种结构形式。
　　 4.11.36　氧化铝晶须
　　 alumina whisker 　　以含铝的化合物为原料，经高温热处理，形成以α-Al2O3（刚玉）单晶为主的晶须材料。
　　 4.11.37　金属纤维补强陶瓷基复合材料
　　 metal fiber reinforced ceramic matrix composites 　　以金属纤维增强陶瓷基体的材料。可以改善陶瓷材料的脆性，可用作各种结构部件。
　　 4.11.38　陶瓷纤维补强陶瓷基复合材料
　　 ceramic fiber reinforced ceramic matrix composites 　　用陶瓷纤维增强陶瓷基体的材料，可改善陶瓷的抗冲击性能，用作各种耐高温结构部件。
　　 4.11.39 W-Cr-Al2O3系金属陶瓷
　　 W-Cr-Al2O3 cermet 　　由Al2O3陶瓷颗粒和W-Cr合金组成的非均质复合材料。
　　 4.11.40　Cr3C系金属陶瓷
　　 Cr3C cermet 　　以Cr3C陶瓷颗粒和金属或合金组成的非均质复合材料。
　　 4.11.41　ZrO2-TiC系金属陶瓷
　　 ZrO2-TiC cermet 　　以ZrO2及TiC陶瓷颗粒和金属或合金组成的非均质复合材料。
　　 4.11.42　W-Ni系金属陶瓷
　　 W-Ni cermet 　　由W-Ni合金与一种或几种陶瓷相所组成的非均质复合材料。
　　 4.11.43　WC-Co系金属陶瓷
　　 WC-Co cermet 　　由WC颗粒和Co金属粘结相组成的非均质复合材料。
　　 4.11.44　Ti(CN)x-Ni系金属陶瓷
　　 Ti(CN)x-Ni cermet 　　由Ti(CN)x颗粒和Ni金属粘结相组成的非均质复合材料。
　　 4.11.45　Ti(CN)x-Ni-Y2O3系金属陶瓷
　　 Ti(CN)x-Ni-Y2O3 cermet 　　由Ti(CN)xY2O3与Y2O3陶瓷颗粒和Ni金属粘结相组成的非均质复合材料。
　　 4.11.46　TiC-Ni系金属陶瓷
　　 TiC-Ni cermet 　　由TiC颗粒和Ni金属粘结相组成的非均质复合材料
　　 4.11.47　颗粒弥散强化复相陶瓷
　　 particle dispersion strengthened ceramics 　　将第二相颗粒引入陶瓷基体中，使其呈均匀弥散分布并起到增强陶瓷基体作用的一类复相陶瓷材料。
　　 4.11.48　延性颗粒弥散强化复相陶瓷
　　 ductile particle dispersion strengthened ceramic 　　以延性金属粒为弥散强化（韧化）相的复相陶瓷材料。
　　 4.11.49　板晶弥散强化复相陶瓷
　　 plate crystal particle dispersion strengthened ceramic 　　以高强度、高韧性的板状陶瓷晶片为弥散强化相的复相陶瓷材料。 4.11.50　原位生长复相陶瓷
　　 in-situ multiphase composite ceramic 　　直接由高温化学反应或相变过程在主晶相基体中生成具有特殊形态或晶相具有改性效果的复相陶瓷材料。
　　 4.11.51　铝原位氧化铝陶瓷
　　 aluminum oxidized-in-situ ceramic 　　掺杂金属铝在高温下与氧反应生成的氧化铝基陶瓷，又称兰克德材料。
　　 4.11.52　梯度功能复合材料
　　 functionally gradient composite 　　通过连续平滑地改变两种具有不同功能素材的组织，获得功能相应于组织的变化而变化的非均质材料。
　　 4.12　透明陶瓷与光敏陶瓷
　　 4.12.1　透明氧化铝陶瓷
　　 transparent alumina ceramics 　　亦称半透明氧化铝(translucent alumina ceramics)。由高纯（大于99.9%）的Al2O3原料，外加少量烧结助剂如MgO、Y2O3、La2O3等气氛下或热压条件下烧结。可用作高压钠灯的发光管、窗口材料和红外光学元件等。
　　 4.12.2　透明氧化镁陶瓷
　　 transparent magnesia ceramics 　　用高纯（大于99.9%）MgO作原料，添加少量LiF、NaF等抑制晶体生长，采用常压或热压烧结工艺制成。MgO多晶透明体可用作0.4-6μm的透红外窗口材料，整流罩及光学滤光片等。
　　 4.12.3　透明氧化铍陶瓷
　　 transparent beryllia ceramics 　　以高纯氧化铍为原料，加少量添加剂，在2000MPa、1200℃下制成的半透明材料，可以作为原子能反应堆的中子减速剂－反射剂、微波输出窗口材料及高温部件等。
　　 4.12.4　透明氧化钇陶瓷
　　 transparent yttria ceramics 　　以高纯（大于99.99%）Y2O3为原料，添加摩尔百分含量为8%－10%的ThO2等，在氢气中于大于2000℃高温下烧成的透明多晶聚集体。Y2O3属六方晶系，熔点大于2400℃，可用作导弹的红外窗口材料、整流罩、天线罩及微波基板等。
　　 4.12.5　透明氧化钍陶瓷
　　 transparent thoria ceramics 　　以ThO2为原料，添加CaO、 Y2O3或ZrO2做稳定剂，在氢气中，2000－2300℃高温下制成的透明体，可用作高温环境下的红外窗口材料和整流罩等。
　　 4.12.6　透明镁铝尖晶石陶瓷　
　　 transparent magnesium aluminium spinel ceramics 　　用镁和铝的氢氧化物共沉淀物或镁，铝盐类热分解的产物为原料，添加少量的助熔剂（如CaO等）在真空，800-1900℃或湿H2中1700℃左右下烧结的半透明材料，可用于高温电弧、密封外壳、天线窗和红外透射装置等。
　　 4.12.7　透明锆钛酸铅镧陶瓷
　　 tramsparent lead lanthanum zirconate titanate ceramics 　　简称透明PLZT陶瓷，用La置换锆钛酸铅（PZT）中的一部分Pb，形成锆钛酸铅镧[(Pb.La)(Zr.Ti)O3]为主要成分，通过热压工艺制成具有透光性材料，可透0.5-8μm波长的光，有电光效应，可用作存贮器，显示器和光阑等。
　　 4.12.8　光敏电阻瓷
　　 light sensitive resistance ceramics (photo resistor ceramics) 　　电阻率随入射光的强弱而改变的半导体陶瓷材料，如CdS、CdSe是紫外光敏材料等。
　　 4.12.9　硫化锌光敏瓷
　　 zinc sulfide photoresistor ceramics 　　利用极高纯（99.999%）超细（0.05-1μm）的ZnS作原料，经掺杂（施主掺杂剂如Ca、Al、Se、Ga、In等，受主掺杂剂如Ag等），外加助熔剂、分散剂，通过热处理制成膜或块体材料。可用作新能源材料。
　　 4.12.10　硒化锌光敏瓷
　　 zinc selenide photoresistor ceramics 　　利用极高纯（99.999%），超细（0.05-1μm）的ZnS作原料，经掺杂（施主掺杂剂Br等，受主掺杂剂Cu、Ag、Sb、As等），外加助熔剂，分散剂等，通过处理，制成膜或块体材料。可用作新能源材料。
　　 4.12.11　硫化镉光敏瓷
　　 cadmium sulfide photoresistor ceramics 　　用极高纯（99.999%），超细（0.05-1μm）的CdS粉体作原料，经掺杂（施主掺杂剂Cl、Al、Ga、In等，受主掺杂剂Cu、Ag等），外加助熔剂与分散剂，通过热处理后制成的膜或块体材料，是太阳能电池首选材料之一。
　　 4.12.12　碲化镉光敏瓷
　　 cadmium telluride photo-resistor ceramics 　　用极高纯（99.999%）、超细（0.05-1μm）的CdTe作原料，经掺杂（施主掺杂剂I等，受主掺杂剂Li、Sb、P、Na等），外加助熔剂与分散剂，通过热处理后制成的膜或块体材料，可作为太阳能电池材料。
　　 4.12.13　太阳能电池
　　 solar energy cell 　　以太阳光为光源的光电池，其转换率与材料的光子能量的禁带宽度、材料表面的反射损耗、电子空穴对的复合损失等多种因素有关。作太阳光电池材料有Si、GaAS、Cu2S、CdTe和Cds等。
　　 4.12.14　Cu2S-Cds太阳能电池
　　 Cu2S-Cds solar energy cell 　　用烧结-电化学处理的方法制成的Cu2S-Cds，作为太阳光能转换的电池，其转换效率约6%-9%，性能低于硅太阳能电池。
　　 4.12.15　常温红外辐射陶瓷填料
　　 RT-infrared radiation ceramic filler 　　指在50-150℃温度之间，有较高红外辐射率的材料。选择合适的基体、外加稀土元素制成。波长为6μm时，辐射率约40%；6-15μm时，辐射率大于80%。
　　 4.12.16　中低温红外辐射陶瓷涂料
　　 medium temperature infrared radiation ceramic paint 　　指使用温度小于600℃时的红外辐射涂料，用它涂在加热元件或器件内壁表面，可提高能量转换效率。
　　 4.12.17　中高温红外辐射陶瓷涂料
　　 high temperature infrared radiation ceramic paint 　　指使用温度600℃小于的红外辐射陶瓷涂料，如MoSi2涂料等，用它涂复在各种热处理窑炉内，起到提高辐射能和节能作用。
　　 4.12.18　碳化硅高红外辐射陶瓷
　　 SiC high infrared radiation ceramics 　　以SiC成分为主，制成具有高红外辐射率的材料，一般SiC大于60%，在800-1600℃温度范围内全辐射率大于90%，是目前使用最多的红外辐射材料。
　　 4.12.19　氧化锆高红外辐射陶瓷
　　 ZrO2 high infrared radiation ceramics 　　以ZrO2为主要成分制成的高红外辐射率的陶瓷材料，常以ZrSiO4(ZrO2含量67%作主要原料，外加TiO2、CaO、MgO、SiO2、F2O3-Cr2O3和粘土等，波长大于6μm时，有较高的辐射率（大于90%），使用温度可至1000℃以上。
　　 4.12.20　Fe-Mn-Ni-Co-Cu高红外辐射陶瓷
　　 Fe-Mn-Ni-Co-Cu high infrared radiation ceramics 　　以Fe、Mn、Ni、Co、Cu的氧化物为主要组成制成的高红外辐射的陶瓷材料，其红外辐射特性近于黑体，有"黑陶瓷"之称。
　　 4.13　涂层
　　 4.13.1　无机涂层
　　 inorganic coating 　　将无机化合物及金属粉末涂覆在结构底材上，起到保护、隔热作用或产生新的光、电等性能的涂层材料。
　　 4.13.2　红外辐射涂层
　　 infrared radiation coating 　　在红外波段具有高发射率值或特定选择性辐射特性的涂层材料。
　　 4.13.3　热反射涂层
　　 heat reflection coating 　　具有高的红外反射率的涂层。
　　 4.13.4　隐身涂层　
　　 invisible coating 　　能使被涂目标与它所处背景有尽可能接近的反射、透过、吸收（或发射）电磁或声波特性的涂层材料。
　　 4.13.5　热控涂层
　　 thermal control coating 　　用于航天器表面，具有特定热辐射性质，调节辐射热交换的涂层材料。
　　 4.13.6　间隙控制涂层
　　 gap-control coating 　　有金属本体和非金属填料所组成的可磨损涂层，使配合件在接触运转中自动形成所必须的间隙和获取最佳密封状态。
　　 4.13.7　热喷涂法
　　 thermal spraying method 　　加热物料至熔化，并用高压气体气体雾化和喷射到工件表面上形成涂层的表面技术。
　　 4.13.8　火焰喷涂法
　　 flame spraying method 　　以可燃气体与助燃气体混合后燃烧的火焰为热源的热喷涂方法。
　　 4.13.9　等离子喷涂法
　　 plasma spraying 　　以高温高速等离子射流熔化和雾化物料并使其高速喷射到工件表面上形成涂层的表面技术。
　　 4.13.10　喷涂粘结金属底层
　　 metal paste ground coat for spraying 　　为提高陶瓷涂层与金属基体的结合强度，事先在金属表面喷涂的一层金属涂层。
　　 4.13.11　热障涂层
　　 heat barrier coating 　　又称隔热涂层。一般指在结构底材表面上，以等离子、为焰喷涂、熔烧或无机凝结等工艺制备能起到高温隔热作用的涂层。广泛用于航天航空领域。
　　 4.13.12　熔融型红外辐射涂层
　　 melting infrared radiation coating 　　通过在熔隔或半熔融状态下使涂料与基体相互渗透结合形成的红外辐射涂层。可以较好地解决涂层的剥落问题。
　　 4.13.13　超硬涂层
　　 superhard coating 　　具有很高硬度的涂层。
　　 4.13.14　金刚石涂层
　　 diamond coating 　　由金刚石组成的，可用低压、常压化学气相沉积或其他方法制备的涂层。
　　 4.13.15　氮化钛涂层
　　 titanium nitride coating 　　由钛氮化合物组成的一种涂层。通常是δ-TiN和ε-Ti2N两相共存。
　　 4.13.16　耐腐蚀涂层
　　 corrosion resistant coating 　　能保护基体表面不受或少受周围介质腐蚀的一类涂层。
　　 4.14　电子陶瓷（部分）
　　 4.14.1　电阻温度系数
　　 temperature coefficient of resistance 　　电阻元件温度升高1℃时，变化的电阻率与原电阻率的比值。
　　可用下式表示：
　　　　
　　式中：αT--电阻温度系数，K-1；　　ρT--温度T时，材料的电阻率，Ωom；　T--绝对温度，K。
　　 4.14.2　正温度系数热敏陶瓷
　　 positive temperature coefficient ceramics 　　简称PTC。在某一个温度范围内，电阻率随温度升高而呈非线性升高的半导体陶瓷。如以BaTiO3为主要成分的陶瓷。
　　 4.14.3　负温度系数热敏陶瓷
　　 negative temperature cofficient ceramics 　　简称NTC。在某一温度范围内，电阻率随温度升高而呈非线性下降的半导体陶瓷，如以氧化钒为主成分的热敏电阻等。
　　 4.14.4　临界温度系数热敏陶瓷
　　 critical temperature cofficient ceramics 　　简称CTR。某些过渡金属氧化物的电阻值，在某一特定温度下，出现急剧变化的陶瓷电阻元件。如V2O5、P2O5、SiO2、BaO、SrO、CaO等氧化物合成材料。
　　 4.14.5　氧化钛压敏陶瓷　
　　 TiO2 voltage sensitive ceramics 　　以TiO2为主要成分，其电阻值随外加电压变化有一个显著的非线性变化的半导体陶瓷。制成的电阻器的介电常数最高可达105。
　　 4.14.6　钛酸锶压敏陶瓷
　　 strontium titanate voltage sensitive ceramics 　　以SrTiO3为主要成分，添加Nb2O5、Y2O3等，制成的压敏陶瓷材料，制成的电阻器的介电常数在10000以上，非线性系数为15左右。
　　 4.14.7　钛酸钡陶瓷
　　 barium titanate ceramics 　　主成分为BaTiO3，具有钙钛矿结构的压电陶瓷材料，纯钛酸钡陶瓷居里温度约为120℃，介电常数较高，介电损耗tgδ为1×10-2，经极化后的钛酸钡陶瓷的机电耦合系数Kp约为0.36，机械品质因数Qm约为300，压电常数d31和d33分别约为-80×10-12和-190×10-12C/N。可用于制作声换能器、拾音器等压电器件。
　　 4.14.8　钛酸铅陶瓷
　　 lead titanate ciramics 　　主要成分为PbTiO3的，是一种与BaTiO3具有相似结构的钙钛矿结构的压电铁电材料。居里温度较高为490℃，介电常数约为200，泊松比约为0.20。掺Nd2O3、In2O3和MnO2改性PbTiO3的陶瓷具有良好的压电性能，是一种优良的声表面波器件材料，陶瓷高频滤波器，高温换能元件等。
　　 4.14.9　锆钛酸铅陶瓷
　　 lead zirconate titanate ceramics 　　锆钛酸铅是具有ABO3型复合钙钛矿型结构压电材料，其化学通式为Pb(ZrxTi1-x)O3，简写成PZT。改变组分和添加物，容易得到各种不同性能的压电陶瓷，其居里温度150-370℃，压电性能优良，机电耦合系数Kp为0.2-0.7，介电损耗tgδ为(40-200)×10-4，电性能稳定性好。它是目前广泛使用的一种压电陶瓷材料，主要用于制作超声换能器、水声换能器、陶瓷滤波器、声表面波器件、陶瓷变压器、受话器、扬声器和气体点火元件等。
　　 4.14.10　石英晶体
　　 quartz crystal 　　一种简单架状型氧化物矿物，成分α-SiO2，是分布最广的矿物之一，属三方晶系，常发育成完好的柱状晶体，1880年居里兄弟首次在石英晶体上发现了压电效应。可采用水溶液温差法培育人工石英晶体，它可应用于电子工业做振荡元件，还可作光学元件。
　　 4.14.11钽酸锂晶体
　　 lithium tantalite crystal 　　为无色或淡黄色透明体，具有高的机电耦合系数和机械品质因数，大的压电系数，晶体的声衰减是目前使用的各种晶体中最小的。LiTaO3晶体是高频宽带滤波器、高频压电换能源器、超声延迟介质和声表面波器件的良好材料。
　　 4.14.12 铌酸锂晶体　
　　 lithium niobate crystal 　　是一种无色或带黄绿色的透明晶体，它的压电系数大，机械品质因数高，机电耦合系数大，化学稳定性好，机械加工性能好，可进行精密加工。LiNbO3晶体是优良的压电换能器，超声延迟线和声表面器件的材料。
　　 4.14.13　金红石陶瓷
　　 rutile ceramic 　　主晶相为金红石的TiO2陶瓷，二氧化钛有金红石、板钛矿、锐钛矿三种晶体结构，其中金红石属四方晶系，是一种稳定结构。基本的介电性能：沿c轴方向介电常数为173(1MHz)，沿a轴方向介电常数为89(1MHz)。TiO2陶瓷的介电性能则为各向同性，介电常数在15-20，电容温度系数几乎为0，介电损耗适中，二氧化钛是高稳定型电容器系列(NPO)的主要组分之一。
　　 4.14.14　铌铁酸铅-钨铁酸铅陶瓷
　　 Pb(Fe0.5Nb0.5)O3-Pb(Fe0.5W0.5)O3 ceramic 　　属弛豫铁电体。组成为Pb(Fe0.5Nb0.5)O3-Pb(Fe0.5W0.5)O3固溶体的铌铁酸铅-钨铁酸铅陶瓷。具有明显的弛豫铁电陶瓷的特性，如频率色散和弥散相变现象。其介电峰可以在90-110℃之间通过改变两种组分的比例而连续进行调节，最大介电常数值可达15000以上，而烧成温度可低至900℃左右。由于二价铁的存在，该体系的电阻率较低，未经掺杂的体系的电阻率仅为106Ωocm的量级，因此一般需通过锰的掺杂来改善电阻特性。该固溶体适合于作为高介质系列电容器瓷料。
　　 4.14.15　掺镧钛酸铅陶瓷
　　 PLT ceramic 　　一种通过镧掺杂改性的钛酸铅陶瓷。随着镧含量的增加，PLT陶瓷的居里点降低，热释电系数增加，可以得到很高的灵敏度；晶粒的各向异性减小，避免了陶瓷烧结过程中的开裂。主要用于制造热电探测器。应用于防火、防盗报警器和非接触开关等。
　　 4.14.16　氧化铁
　　 iron oxide 　　Fe2O3具有尖晶石立方晶体结构，粉末材料是重要的磁记录介质，常用的纯γ- Fe2O3粉末呈红褐色针状形态，矫顽力为19.9-31.8KA/m。掺入少量钴或进行包钴处理可使矫顽力大大提高。目前被广泛应用与各类磁带、磁盘等磁记录产品。
　　 4.14.17　二氧化铬
　　 chromium oxide 　　CrO2是一种重要的磁记录材料。其粉末具有良好的针状单晶结构，表面光洁、不含孔洞、易于取向，具有较高的饱和强度与矫顽力，尤其适用于高密度磁记录介质，作为热磁记录与复制材料也很理想。其缺点是制备需要在高温高压条件下进行，且产生有毒废液，因此在一定程度上限制了使用。目前主要应用于计算机磁带、热磁复制磁带等。
　　 4.14.18　云母陶瓷
　　 mica ceramic 　　用烧结或熔融氟云母制成的、易于进行切削加工的陶瓷。有云母烧结体、磷酸盐结合体、玻璃结合体、无粘合剂云母陶瓷和复合材料等五种型态。产品表面光滑、尺寸精确，可用普通刀具加工，因此又称为"陶瓷塑料"。可制成各种电气绝缘介质，大电流开关消弧板、灭弧罩和大功率二氧化碳激光电极托板等。

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